Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman - Université de Reims Champagne-Ardenne
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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https://hal.science/hal-04171760

Soumis le : mercredi 26 juillet 2023-17:07:58

Dernière modification le : vendredi 12 janvier 2024-16:45:19

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Dates et versions

hal-04171760 , version 1 (26-07-2023)

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Identifiants

  • HAL Id : hal-04171760 , version 1

Citer

Anaël Sédilot, Enora Marion Vuillermet, Régis Deturche, Elise Usureau, Jérémie Béal, et al.. Caractérisation du dopage de dispositifs de puissance en 4H-SiC par KPFM et spectroscopie µ-Raman. 24ème Forum des microscopies à sonde locale, Apr 2023, Obernai, France. ⟨hal-04171760⟩

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