Coupled non-destructive methods, Scanning Electron Microscopy, Kelvin Force Probe microscopy and µ-Raman to characterize doping in 4H-SiC power devices - Université de Reims Champagne-Ardenne
Poster De Conférence Année : 2023

Coupled non-destructive methods, Scanning Electron Microscopy, Kelvin Force Probe microscopy and µ-Raman to characterize doping in 4H-SiC power devices

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Optique / photonique
Fichier principal
Vignette du fichier
FPD_poster.pdf (1.22 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Enora Vuillermet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04618679

Soumis le : jeudi 20 juin 2024-13:22:14

Dernière modification le : vendredi 21 juin 2024-03:22:09

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-04618679 , version 1 (20-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04618679 , version 1

Citer

Enora Vuillermet, Kuan-Ting Wu, Anaël Sédilot, Régis Deturche, Nicolas Bercu, et al.. Coupled non-destructive methods, Scanning Electron Microscopy, Kelvin Force Probe microscopy and µ-Raman to characterize doping in 4H-SiC power devices. 5e édition des French Photonics Days, Oct 2023, Strasboug, France. ⟨hal-04618679⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS URCA LRN UTT UTT-FULL-TEXT RENATECH
109 Consultations
13 Téléchargements

Partager

More